离子束溅射系统

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磁控溅射系统的工作原理

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磁控溅射系统的工作原理

发布日期:2021-08-24 作者: 点击:

磁控溅射系统的作业原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片进程中与氩原子产生磕碰,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴ji靶,并以高能量炮击靶表面,使靶材产生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子堆积在基片上构成薄膜,而产生的二次电子会遭到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线方式在靶表面做圆周运动,它们的运动途径不只很长,并且被束缚在接近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出很多的Ar 来炮击靶材,然后完成了高的堆积速率。随着磕碰次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐步远离靶表面,并在电场E的作用下究竟堆积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。


磁控溅射系统工作原理



磁控溅射系统是入射粒子和靶的磕碰进程。入射粒子在靶中经历杂乱的散射进程,和靶原子磕碰,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子磕碰,构成级联进程。在这种级联进程中某些表面邻近的靶原子获得向外运动的满足动量,脱离靶被溅射出来。

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