离子束溅射系统

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射频磁控溅射与离子束溅射系统有哪些区别

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射频磁控溅射与离子束溅射系统有哪些区别

发布日期:2021-05-26 作者: 点击:

射频磁控溅射与离子束溅射系统有哪些区别


两种溅射法的比照分析


在高频溅射中,被溅射资料以分子标准巨细的粒子带有一定能量接二连三的穿过等离子体在基片上淀积薄膜,这样,膜质比热蒸腾淀积薄膜细密、附着力好。但是溅射粒子穿过等离子体区时,吸附等离子体中的气体,淀积的薄膜遭到等离子体内杂质污染和高温不稳定的热动态的影响,使薄膜发生更多的缺陷,降低了绝缘膜的强度,成品率低。此外,高频溅射靶,既是发生等离子体的作业参数的一部分,又是发生溅射粒子的工艺参数的一部分,因此设备的作业参数和工艺参数互相制约,不能单独各自调整,工艺掌握困难,操作杂乱。


美国NASA的陈述中评论了高频溅射技术提高薄膜粘附性,同时也指出了薄膜生长环境是在等离子区的恶劣环境中,薄膜缺陷的增加成为制备高频绝缘功用薄膜和提高成品率的一个首要问题。



离子束溅射系统



在薄膜的生长过程中,基片的温度对堆积原子在基片上的附着以及在其上移动等都有很大影响,是决议薄膜结构的重要条件。一般来说,基片温度越高,则吸附原子的动能也越大,跨越外表势垒的几率增多,则需求构成核的临界标准变大,越易引起薄膜内部的凝聚,每个小岛的形状就越挨近球形,简略结晶化,高温堆积的薄膜易构成粗大的岛状安排。而在低温时,构成核的数目增加,这将有利于构成晶粒小而连续的薄膜安排,并且还增强了薄膜的附着力,所以寻求实现薄膜的低温堆积一直是研讨的方向,而离子束溅射技术在这方面有着显着长处。



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