YCL50-A磁控溅射与离子束结合系统

◆设备用途

用于纳米级单层及多层功能膜、 硬质膜、 金属膜、 半导体膜、 介质膜、 铁磁膜和磁性薄膜等的制备。 可广泛应用于半导体、 微电子及新材料领域。

◆设备组成

系统主要由溅射真空室、 磁控溅射靶、 基片水冷加热公转台、 Kaufman 离子枪、 四工位转靶、 工作气路、 抽气系统、 真空测量、 电控系统及安装机台等部分组成。

◆技术指标

极限真空度：≤6.67×10-5 Pa (经烘烤除气后)；

系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；停机12小时≤5Pa.

系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，45分钟可达到6.67×10-4Pa；

系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成。