高真空单室热蒸发系统

◆设备用途

用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进

行薄膜材料的科研与小批量制备。

◆设备组成

主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测

量及电控系统等部分组成。

◆技术指标

1、极限真空度：≤8.0×10-5Pa (经烘烤除气后)；

2、系统真空检漏漏率：≤5.0×10-8Pa.L/S；停机12小时≤5Pa.

3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，45分钟可达到6.6×10-4Pa；

4、系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成。