DZS-500电子束蒸发设备

◆设备用途

可用于Au, Ni, Ag, Ti, Al, Cr和Mo等金属以及氧化物(ITO等)在基片上均匀沉积多层膜

◆设备组成

系统主要由沉积室、 考夫曼溅射离子源、 考夫曼清洗辅助离子源、 样品台、 样品加热装置、膜厚监测系统、 泵抽系统、 真空测量系统、 气路系统、 电控系统等组成。

◆技术指标

极限真空度： 6.6x10-5 Pa

膜厚均匀性： ≤ ±5%

样品最大尺寸：8英寸晶圆

转速： 3–30 rpm/m

样品加热温度：室温~300°C

温度均匀性：≤ ±10°C